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等離子去膠

簡要描述:等離子去膠工藝擁有低污染顆粒,低成本大規模量產,高均勻性與高可復制性等工藝特征。

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  • 廠商性質:代理商
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  • 更新時間:2024-11-09
  • 訪  問  量: 4454

詳細介紹

一、定義與原理
定義:等離子去膠是利用等離子體技術,通過氣體放電產生高能粒子,這些粒子能夠解離化學鍵、改變分子結構,從而有效去除物體表面的污染物、殘留膠層等雜質的過程。
原理:在特定壓強和電壓條件下,通過氣輝放電的方式產生等離子體。等離子體由電子、離子、自由基等活性粒子組成,具有很高的能量和反應活性。當等離子體直接噴向被處理表面時,會與表面物質發生化學反應,分解并去除污染物,同時增加表面的活性,提升潤濕性和附著力。

二、優勢與特點
高效去膠:等離子體的高反應活性使其能夠迅速破壞膠體顆粒的結構,實現膠體的去除。
環保節能:無需使用化學溶劑,減少二次污染和資源消耗,符合環保要求。
精準控制:具備高精度的控制和均勻性控制,確保處理效果的一致性。
廣泛適用:適用于多種材料和工藝,包括硅片、玻璃片、金屬等。

三、工藝參數與影響因素
等離子去膠的效果受多個工藝參數的影響,包括射頻頻率、清洗時間、真空壓力值以及腔體溫度等。這些參數需要根據具體的去膠需求和材料特性進行調整和優化,以獲得最佳的去膠效果。

岱美設計生產的先進干法去膠、掩膜蝕刻系列產品,可用于大批量去膠與大劑量離子注入后去膠,同時還可用于各種硬掩膜層干法蝕刻。

微波等離子清洗,等離子去膠工藝擁有低污染顆粒,低成本大規模量產,高均勻性與高可復制性等工藝特征。采用高度模塊化設計,為廣大客戶提供多樣靈活配置方案,滿足不同的先進制程要求。

 
四、等離子去膠應用領域:
1、LDI后光刻膠去除;
2、光刻膠、聚合物去除(灰化);
3、大劑量離子注入后光刻膠去除;
4、二氧化硅、氮化硅、氮化鈦掩膜蝕刻;
5、碳化硅、氮化鎵、鉭酸鋰、磷化銦材料工藝;
6、射頻濾波器BAW,SAW生產工藝中光刻膠去除;
7、MEMS應用、晶圓級封裝(PR、PI、BCB、PBO)。

 


 

 

 

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